在結構研究中, 大量的樣品需要在高放大倍數、更多細節的水平上進行觀察和分析。同時, 隨著樣品種類的不斷增多(如: 低原子序數材料, 不導電材料等), 需要掃描電子顯微鏡提供優異的低加速電壓性能, 以獲得高質量的真實表面圖像。Inspect F50 場發射掃描電子顯微鏡系統就是根據這***要求而設計的。它還提供了低加速電壓的背散射電子圖像, 薄樣品的暗場/明場STEM(掃描透射)像。Inspect F50 系統操作和維護方便, 同時可安裝各種掃描電鏡的附件(如: 能譜儀系統, 波譜儀系統, EBSD等等)。Inspect F50 是***款經典的場發射掃描電子顯微鏡。
場發射掃描電子顯微鏡Inspect F50的技術參數
1、燈絲: 超高亮度Schottky場發射燈絲
2、分辨率：1.0 nm @ 30 kV, 3.0 nm @ 1 kV
二次電子:
1、0 nm @ 30 kV, 3.0 nm @ 1 kV
減速模式 2.3nm @ 1kV, 3.1nm @ 200V (可選項)
背散射電子:
2、5nm @ 30kV
3、加速電壓：200 V - 30 kV, 連續可調
4、探測器：E-T二次電子探測器，可選背散射探測器
5、50x50mm 4軸馬達驅動全對中樣品臺
場發射掃描電子顯微鏡Inspect F50的主要特點
1、分子泵+離子泵真空系統
2、高穩定性、超高亮度場發射燈絲，滿足高分辨觀察和微觀分析的要求
3、可選FEI獨特的STEM探測器，分辨率達到0.8nm
4、穩定的大束流(200nA)確保高速、準確的能譜、波譜和EBSD分析
5、Windows XP操作系統
滬公網安備31011502016460號
